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（2）为实现基于2D忆阻器或突触晶体管的硬件神经网络（HNNs），亨通化项需要获取质量高和均一性好的2D材料，亨通化项并以此构造突触器件阵列，同时还需要解决2D器件制造工艺与半导体加工技术的兼容性等问题。值得智（i）突触后膜电流变化幅度随栅极电压的变化。
